ASDM540G-R
IC
TO-263
可供量大可议
ASDM540G-R
特性：高密度单元设计， 实现更低的导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流。 高单脉冲雪崩能量下， 稳定性和均匀性良好。 出色的封装， 实现良好的散热。 应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
品牌
ASDsemi
封装
TO-263
库存
114
货期
现货
ASDM540G-R参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 114 |
ASDM540G-R概述
特性：高密度单元设计， 实现更低的导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流。 高单脉冲雪崩能量下， 稳定性和均匀性良好。 出色的封装， 实现良好的散热。 应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
ASDM540G-R特性
暂无产品特性。
ASDM540G-R应用领域
暂无应用领域。