ASDM40DN20E-R
IC
PDFN3.3x3.3-8
可供量大可议
ASDM40DN20E-R
Trench Power LV MOSFET 技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计， 实现低导通电阻 RDS(Ω)
品牌
ASDsemi
封装
PDFN3.3x3.3-8
库存
4,670
货期
现货
ASDM40DN20E-R参数
| 封装 | PDFN3.3x3.3-8 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4670 |
ASDM40DN20E-R概述
Trench Power LV MOSFET 技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计， 实现低导通电阻 RDS(Ω)
ASDM40DN20E-R特性
暂无产品特性。
ASDM40DN20E-R应用领域
暂无应用领域。