ASDM30P100KQ-R
IC
TO-252
可供量大可议
ASDM30P100KQ-R
特性：采用先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷， 可在低栅极电压下工作。 锂电池保护。 无线冲击。 手机快充
品牌
ASDsemi
封装
TO-252
库存
9,525
货期
现货
ASDM30P100KQ-R参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9525 |
ASDM30P100KQ-R概述
特性：采用先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷， 可在低栅极电压下工作。 锂电池保护。 无线冲击。 手机快充
ASDM30P100KQ-R特性
暂无产品特性。
ASDM30P100KQ-R应用领域
暂无应用领域。