ASDM30N65E-R
IC
DFN3.3x3.3-8
可供量大可议
ASDM30N65E-R
特性：低栅极电荷。 有环保型产品。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。 应用：台式计算机或DC/DC转换器中的电源管理。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
品牌
ASDsemi
封装
DFN3.3x3.3-8
库存
1,495
货期
现货
ASDM30N65E-R参数
| 封装 | DFN3.3x3.3-8 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1495 |
ASDM30N65E-R概述
特性：低栅极电荷。 有环保型产品。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。 应用：台式计算机或DC/DC转换器中的电源管理。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
ASDM30N65E-R特性
暂无产品特性。
ASDM30N65E-R应用领域
暂无应用领域。