ASDM30N55E-R
IC
DFN3.3x3.3-8
可供量大可议
ASDM30N55E-R
特性：100% EAS保证。 有绿色环保器件可供选择。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。 应用：逆变器系统中的电源管理
品牌
ASDsemi
封装
DFN3.3x3.3-8
库存
14,145
货期
现货
ASDM30N55E-R参数
| 封装 | DFN3.3x3.3-8 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14145 |
ASDM30N55E-R概述
特性：100% EAS保证。 有绿色环保器件可供选择。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。 应用：逆变器系统中的电源管理
ASDM30N55E-R特性
暂无产品特性。
ASDM30N55E-R应用领域
暂无应用领域。