ASDM30N120KQ-R
IC
TO-252
可供量大可议
ASDM30N120KQ-R
特性：增强模式。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5V。 快速开关。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准
品牌
ASDsemi
封装
TO-252
库存
235
货期
现货
ASDM30N120KQ-R参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 235 |
ASDM30N120KQ-R概述
特性：增强模式。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5V。 快速开关。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准
ASDM30N120KQ-R特性
暂无产品特性。
ASDM30N120KQ-R应用领域
暂无应用领域。