ASDM30N100KQ-R
IC
TO-252
可供量大可议
ASDM30N100KQ-R
特性：100% EAS 保证。 有绿色环保器件可选。 超低栅极电荷。 出色的 CdV/dt 效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。 应用：锂离子二次电池。 负载开关
品牌
ASDsemi
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
ASDM30N100KQ-R参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
ASDM30N100KQ-R概述
特性：100% EAS 保证。 有绿色环保器件可选。 超低栅极电荷。 出色的 CdV/dt 效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。 应用：锂离子二次电池。 负载开关
ASDM30N100KQ-R特性
暂无产品特性。
ASDM30N100KQ-R应用领域
暂无应用领域。