ASDM30DN40E-R
IC
PDFN3333-8
可供量大可议
ASDM30DN40E-R
特性：增强模式。 低导通电阻RDS(on)（VGS = 4.5V时）。 快速开关和高效率。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准
品牌
ASDsemi
封装
PDFN3333-8
库存
145
货期
现货
ASDM30DN40E-R参数
| 封装 | PDFN3333-8 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 145 |
ASDM30DN40E-R概述
特性：增强模式。 低导通电阻RDS(on)（VGS = 4.5V时）。 快速开关和高效率。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准
ASDM30DN40E-R特性
暂无产品特性。
ASDM30DN40E-R应用领域
暂无应用领域。