ASDM3080KQ-R
IC
TO-252
可供量大可议
ASDM3080KQ-R
特性：30V， 80A。 RDS(ON) = 4.8mΩ（典型值）@ VGS = 10V。 RDS(ON) = 7.5mΩ（典型值）@ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：负载开关。 PWM应用
品牌
ASDsemi
封装
TO-252
库存
1,830
货期
现货
ASDM3080KQ-R参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1830 |
ASDM3080KQ-R概述
特性：30V， 80A。 RDS(ON) = 4.8mΩ（典型值）@ VGS = 10V。 RDS(ON) = 7.5mΩ（典型值）@ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：负载开关。 PWM应用
ASDM3080KQ-R特性
暂无产品特性。
ASDM3080KQ-R应用领域
暂无应用领域。