ASDM20N20KQ-R
IC
TO-252
可供量大可议
ASDM20N20KQ-R
特性：超高密度单元设计， 实现极低的导通电阻RDS(on)。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 应用：负载开关。 PWM应用
品牌
ASDsemi
封装
TO-252
库存
2,015
货期
现货
ASDM20N20KQ-R参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2015 |
ASDM20N20KQ-R概述
特性：超高密度单元设计， 实现极低的导通电阻RDS(on)。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 应用：负载开关。 PWM应用
ASDM20N20KQ-R特性
暂无产品特性。
ASDM20N20KQ-R应用领域
暂无应用领域。