ASDM20N100Q-R
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
ASDM20N100Q-R
20V/100A 单 N 沟道功率 MOSFET， 在 VGS = 4.5V 时导通电阻 RDS(on) 极低
品牌
ASDsemi
封装
DFN5x6-8
库存
300
货期
现货
ASDM20N100Q-R参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 300 |
ASDM20N100Q-R概述
20V/100A 单 N 沟道功率 MOSFET， 在 VGS = 4.5V 时导通电阻 RDS(on) 极低
ASDM20N100Q-R特性
暂无产品特性。
ASDM20N100Q-R应用领域
暂无应用领域。