ASDM100R045NQ-R
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
ASDM100R045NQ-R
特性：高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 高 EAS 下具有良好的稳定性和均匀性。 出色的封装， 利于散热。 针对同步整流进行优化。 低输入电容。 应用：汽车应用。 硬开关和高频电路
品牌
ASDsemi
封装
PDFN-8(5x6)
库存
889
货期
现货
ASDM100R045NQ-R参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 889 |
ASDM100R045NQ-R概述
特性：高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 高 EAS 下具有良好的稳定性和均匀性。 出色的封装， 利于散热。 针对同步整流进行优化。 低输入电容。 应用：汽车应用。 硬开关和高频电路
ASDM100R045NQ-R特性
暂无产品特性。
ASDM100R045NQ-R应用领域
暂无应用领域。