ASDM100N15KQ-R
IC
TO-252
可供量大可议
ASDM100N15KQ-R
特性：100V， 15A。 RDS(ON) = 95mΩ (Typ. ) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 100mΩ (Typ. ) @ VGS = 4.5V。 低总栅极电荷。 低反向传输电容。 改善的dv/dt能力。 应用：不间断电源(UPS)。 逆变器系统
品牌
ASDsemi
封装
TO-252
库存
70
货期
现货
ASDM100N15KQ-R参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ASDsemi(安森德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
ASDM100N15KQ-R概述
特性：100V， 15A。 RDS(ON) = 95mΩ (Typ. ) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 100mΩ (Typ. ) @ VGS = 4.5V。 低总栅极电荷。 低反向传输电容。 改善的dv/dt能力。 应用：不间断电源(UPS)。 逆变器系统
ASDM100N15KQ-R特性
暂无产品特性。
ASDM100N15KQ-R应用领域
暂无应用领域。