ASD70R600E
IC
TO-252
可供量大可议
ASD70R600E
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON)=0.540Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2 V。 应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PD 适配器
品牌
ANHI
封装
TO-252
库存
1
货期
现货
ASD70R600E参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
ASD70R600E概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON)=0.540Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2 V。 应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PD 适配器
ASD70R600E特性
暂无产品特性。
ASD70R600E应用领域
暂无应用领域。