ASD65R350E
自营可供
IC
TO-252
ASD65R350E
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.318Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：PFC 级。 硬开关 PWM 级
品牌
ANHI
封装
TO-252
交期
现货
批次
—
ASD65R350E参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 700V |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | ASD65R350E |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000496 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2460 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 输入电容(Ciss) | 901pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:700V 电流:11A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
ASD65R350E概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.318Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：PFC 级。 硬开关 PWM 级
ASD65R350E特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.318Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 2.8 至 4.2 V
- 符合 RoHS 标准
ASD65R350E应用领域
- 功率因数校正(PFC)级、硬开关脉宽调制(PWM)级和谐振开关 PWM
- 个人电脑、机顶盒、适配器、液晶(LCD)和等离子(PDP)电视、照明、服务器电源、电信电源和不间断电源(UPS)应用