ASB80R750E
IC
TO-263
可供量大可议
ASB80R750E
特性：低漏源导通电阻。 RDS(ON) = 620mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
品牌
ANHI
封装
TO-263
库存
99
货期
现货
ASB80R750E参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
ASB80R750E概述
特性：低漏源导通电阻。 RDS(ON) = 620mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源
ASB80R750E特性
暂无产品特性。
ASB80R750E应用领域
暂无应用领域。