ASB65R220E
IC
TO-263
可供量大可议
ASB65R220E
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.19Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：升压功率因数校正（PFC）开关。 单端反激或双晶体管正激
品牌
ANHI
封装
TO-263
库存
146
货期
现货
ASB65R220E参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 146 |
ASB65R220E概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.19Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。 应用：升压功率因数校正（PFC）开关。 单端反激或双晶体管正激
ASB65R220E特性
暂无产品特性。
ASB65R220E应用领域
暂无应用领域。