ASB65R120EFD
IC
TO-263
可供量大可议
ASB65R120EFD
VDS=700V/Id=30A, Rds(on)=105mΩ/Qg=55.4nC /Ciss=2657pF/Trr=136.7nS
品牌
ANHI
封装
TO-263
库存
541
货期
现货
ASB65R120EFD参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | ANHI(安海) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 541 |
ASB65R120EFD概述
VDS=700V/Id=30A, Rds(on)=105mΩ/Qg=55.4nC /Ciss=2657pF/Trr=136.7nS
ASB65R120EFD特性
暂无产品特性。
ASB65R120EFD应用领域
暂无应用领域。