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APT34F60B-VB
IC

TO-247

可供量大可议

APT34F60B-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO247; N—Channel沟道; 650V; 36A; RDS(ON)=75(mΩ)@VGS=10V, VGS=±30VVth=3.5V; 采用SJ_Multi-EPI技术

品牌

VBsemi

封装

TO-247

库存

10

货期

现货

APT34F60B-VB参数

封装TO-247
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

APT34F60B-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO247; N—Channel沟道; 650V; 36A; RDS(ON)=75(mΩ)@VGS=10V, VGS=±30VVth=3.5V; 采用SJ_Multi-EPI技术

APT34F60B-VB特性

暂无产品特性。

APT34F60B-VB应用领域

暂无应用领域。

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