APT15DQ60KGVAO-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
APT15DQ60KGVAO-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为15A, 最大反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.5V, 非重复峰值正向浪涌电流可达100A。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频工作条件下仍保持较低的导通损耗和快速的反向恢复性能, 适用于高效率、高功率密度的电源系统, 如通信设备电源、数据中心供电模块及可再生能源转换装置等场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
APT15DQ60KGVAO-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
APT15DQ60KGVAO-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为15A, 最大反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.5V, 非重复峰值正向浪涌电流可达100A。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频工作条件下仍保持较低的导通损耗和快速的反向恢复性能, 适用于高效率、高功率密度的电源系统, 如通信设备电源、数据中心供电模块及可再生能源转换装置等场合。
APT15DQ60KGVAO-HXY特性
暂无产品特性。
APT15DQ60KGVAO-HXY应用领域
暂无应用领域。
