APM4010NUC-TRL-VB
IC
TO-252
可供量大可议
APM4010NUC-TRL-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 设计用于中等功率控制和驱动应用。 适用于中等功率控制和驱动应用， 包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 40V； 85A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=25V； Vth=1.2~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
APM4010NUC-TRL-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:40V 电流:85A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V； 6.5mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
| 商品型号 | APM4010NUC-TRL-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0004 |
APM4010NUC-TRL-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 设计用于中等功率控制和驱动应用。 适用于中等功率控制和驱动应用， 包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 40V； 85A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=25V； Vth=1.2~2.5V
APM4010NUC-TRL-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
APM4010NUC-TRL-VB应用领域
- 同步整流-电源-N沟道MOSFET