APG250N01
IC
TO-220
可供量大可议
APG250N01
特性：100V, 40A。 RDS(ON) < 25 mΩ @ VGS = 10 V (典型值: 18 mΩ)。 RDS(ON) < 38 mΩ @ VGS = 4.5 V (典型值: 25 mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
品牌
UNI-SEMIC
封装
TO-220
库存
395
货期
现货
APG250N01参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | UNI-SEMIC(宇力半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 395 |
APG250N01概述
特性：100V, 40A。 RDS(ON) < 25 mΩ @ VGS = 10 V (典型值: 18 mΩ)。 RDS(ON) < 38 mΩ @ VGS = 4.5 V (典型值: 25 mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
APG250N01特性
暂无产品特性。
APG250N01应用领域
暂无应用领域。