APG080N12
IC
TO-220
可供量大可议
APG080N12
特性：120V， 106A， RDS(ON) <8.0mΩ @VGS = 10V（典型值：6.5mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
品牌
ALLPOWER
封装
TO-220
库存
77
货期
现货
APG080N12参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ALLPOWER(铨力) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 77 |
APG080N12概述
特性：120V， 106A， RDS(ON) <8.0mΩ @VGS = 10V（典型值：6.5mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
APG080N12特性
暂无产品特性。
APG080N12应用领域
暂无应用领域。