APG068N04G
IC
PDFN5x6-8L
可供量大可议
APG068N04G
特性：40V, 50A。 RDS(ON) < 6.8mΩ @VGS = 10V (典型值: 5.7mΩ)。 RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 7.5mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
品牌
ALLPOWER
封装
PDFN5x6-8L
库存
9,183
货期
现货
APG068N04G参数
| 封装 | PDFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | ALLPOWER(铨力) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9183 |
APG068N04G概述
特性：40V, 50A。 RDS(ON) < 6.8mΩ @VGS = 10V (典型值: 5.7mΩ)。 RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 7.5mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
APG068N04G特性
暂无产品特性。
APG068N04G应用领域
暂无应用领域。