APG046N01G
IC
PDFN5x6-8L
可供量大可议
APG046N01G
特性：100V， 85A。 RDS(ON) < 4.6mΩ @VGS = 10V（典型值：3.8mΩ）。 RDS(ON) < 6.4mΩ @VGS = 4.5V（典型值：5.2mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
品牌
ALLPOWER
封装
PDFN5x6-8L
库存
474
货期
现货
APG046N01G参数
| 封装 | PDFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | ALLPOWER(铨力) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 474 |
APG046N01G概述
特性：100V， 85A。 RDS(ON) < 4.6mΩ @VGS = 10V（典型值：3.8mΩ）。 RDS(ON) < 6.4mΩ @VGS = 4.5V（典型值：5.2mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
APG046N01G特性
暂无产品特性。
APG046N01G应用领域
暂无应用领域。