APG028N10
IC
TO-220C
可供量大可议
APG028N10
特性：100V， 210A， RDS(ON) <2.8mΩ @VGS=10V (典型值：2.2mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
品牌
ALLPOWER
封装
TO-220C
库存
201
货期
现货
APG028N10参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | ALLPOWER(铨力) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 201 |
APG028N10概述
特性：100V， 210A， RDS(ON) <2.8mΩ @VGS=10V (典型值：2.2mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
APG028N10特性
暂无产品特性。
APG028N10应用领域
暂无应用领域。