APG011N04G
IC
PDFN5x6-8
可供量大可议
APG011N04G
特性：40V， 200A， RDS(ON) <1.1mΩ @VGS=10V（典型值：0.9mΩ）， RDS(ON) <1.5mΩ @VGS=4.5V（典型值：1.3mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
品牌
ALLPOWER
封装
PDFN5x6-8
库存
3,013
货期
现货
APG011N04G参数
| 封装 | PDFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | ALLPOWER(铨力) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3013 |
APG011N04G概述
特性：40V， 200A， RDS(ON) <1.1mΩ @VGS=10V（典型值：0.9mΩ）， RDS(ON) <1.5mΩ @VGS=4.5V（典型值：1.3mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
APG011N04G特性
暂无产品特性。
APG011N04G应用领域
暂无应用领域。