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AP9N20HD
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TO-252-3L

AP9N20HD

AP9N20HD

品牌

APM

封装

TO-252-3L

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现货

批次

—

AP9N20HD参数

封装TO-252-3L
品牌APM(永源微电子)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)200V
耗散功率(Pd)74W
栅极电荷量(Qg)23nC
反向传输电容(Crss)37pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号AP9N20HD
单位个
商品重量0.000381
分类场效应管(MOSFET)
库存100
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))230mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)684pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)103pF
商品名称AP9N20HD
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

AP9N20HD概述

AP9N20HD

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