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AP9928GEO-VB
IC

TSSOP-8

可供量大可议

AP9928GEO-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款共源极N+NMOSFET, 采用Trench技术制造, 适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。 TSSOP8; 2个N—Channel沟道, 20V; 6.6A; RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.5~1V

品牌

VBsemi

封装

TSSOP-8

库存

10

货期

现货

AP9928GEO-VB参数

封装TSSOP-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存10

AP9928GEO-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款共源极N+NMOSFET, 采用Trench技术制造, 适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。 TSSOP8; 2个N—Channel沟道, 20V; 6.6A; RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.5~1V

AP9928GEO-VB特性

暂无产品特性。

AP9928GEO-VB应用领域

暂无应用领域。

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