AP9465AGJ-VB
IC
TO-251
可供量大可议
AP9465AGJ-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于中功率和中电压的场合， 可广泛应用于各种电子设备和模块中。 TO251； N—Channel沟道, 40V； 55A； RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
15
货期
现货
AP9465AGJ-VB参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
AP9465AGJ-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于中功率和中电压的场合， 可广泛应用于各种电子设备和模块中。 TO251； N—Channel沟道, 40V； 55A； RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
AP9465AGJ-VB特性
暂无产品特性。
AP9465AGJ-VB应用领域
暂无应用领域。