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AP90N15T
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TO-263-3L

AP90N15T

AP90N15T

品牌

APM

封装

TO-263-3L

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—

AP90N15T参数

封装TO-263-3L
品牌APM(永源微电子)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)150V
耗散功率(Pd)214W
栅极电荷量(Qg)27nC
反向传输电容(Crss)5.5pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号AP90N15T
单位个
商品重量0.00186
分类场效应管(MOSFET)
库存40
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)2.275nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)165pF
商品名称AP90N15T
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

AP90N15T概述

AP90N15T

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