AP85N10D
自营可供
IC
TO-252-3L
AP85N10D
AP85N10D
品牌
APM
封装
TO-252-3L
交期
现货
批次
—
AP85N10D参数
| 封装 | TO-252-3L |
|---|---|
| 品牌 | APM(永源微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 86W |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | AP85N10D |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000383 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 输入电容(Ciss) | 1.87nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
| 商品名称 | AP85N10D |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
AP85N10D概述
AP85N10D