AP80N04G
IC
PDFN-8(4.9x5.8)
可供量大可议
AP80N04G
特性：40V, 50A。 RDS(ON) = 5.9mΩ (Typ. ) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 11mΩ (Typ. ) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计， 实现超低RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 具有高EAS的良好稳定性和均匀性。 应用：负载开关。 硬开关和高频电路
品牌
ALLPOWER
封装
PDFN-8(4.9x5.8)
库存
1,010
货期
现货
AP80N04G参数
| 封装 | PDFN-8(4.9x5.8) |
|---|---|
| 品牌 | ALLPOWER(铨力) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1010 |
AP80N04G概述
特性：40V, 50A。 RDS(ON) = 5.9mΩ (Typ. ) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 11mΩ (Typ. ) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计， 实现超低RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 具有高EAS的良好稳定性和均匀性。 应用：负载开关。 硬开关和高频电路
AP80N04G特性
暂无产品特性。
AP80N04G应用领域
暂无应用领域。