AP7N65D-B
自营可供
IC
TO-252-3L
AP7N65D-B
AP7N65D-B
品牌
APM
封装
TO-252-3L
交期
现货
批次
—
AP7N65D-B参数
| 封装 | TO-252-3L |
|---|---|
| 品牌 | APM(永源微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 32.9W |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
| 商品名称 | AP7N65D-B |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 1.091nF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | AP7N65D-B |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0021 |
AP7N65D-B概述
AP7N65D-B