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AP6679GH-VB
IC

TO-252

可供量大可议

AP6679GH-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺制造, 适用于多种领域和模块。 TO252; P—Channel沟道, -30V; -60A; RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=±20V; Vth=-1~-3V

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

46

货期

现货

AP6679GH-VB参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存46

AP6679GH-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺制造, 适用于多种领域和模块。 TO252; P—Channel沟道, -30V; -60A; RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=±20V; Vth=-1~-3V

AP6679GH-VB特性

暂无产品特性。

AP6679GH-VB应用领域

暂无应用领域。

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