AP4N65D-B
Available可供
IC
TO-252-3L
AP4N65D-B
AP4N65D-B
Brand
APM
Package
TO-252-3L
交期
现货
Date Code
—
AP4N65D-BParameters
| 封装 | TO-252-3L |
|---|---|
| 品牌 | APM(永源微电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | AP4N65D-B |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000504 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 587pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
| 商品名称 | AP4N65D-B |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
AP4N65D-B概述
AP4N65D-B