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AP4N65D
IC

TO-252-3L

可供量大可议

AP4N65D

650V N沟道增强型MOSFET, 可降低传导损耗, 改善开关性能。

品牌

APM

封装

TO-252-3L

库存

5

货期

现货

AP4N65D参数

封装TO-252-3L
品牌APM(永源微电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存5

AP4N65D概述

650V N沟道增强型MOSFET, 可降低传导损耗, 改善开关性能。

AP4N65D特性

暂无产品特性。

AP4N65D应用领域

暂无应用领域。

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