AP4506GEH-VB
IC
TO-252-4L
可供量大可议
AP4506GEH-VB
TO252-4； N+P—Channel沟道, ±60V； 35/-19A； RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252-4L
库存
8
货期
现货
AP4506GEH-VB参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
AP4506GEH-VB概述
TO252-4； N+P—Channel沟道, ±60V； 35/-19A； RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~3V
AP4506GEH-VB特性
暂无产品特性。
AP4506GEH-VB应用领域
暂无应用领域。