AP4435GJ-VB
IC
TO-251
可供量大可议
AP4435GJ-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P功率场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于各种领域和模块。 TO251； P—Channel沟道, -30V； -40A； RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
32
货期
现货
AP4435GJ-VB参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 32 |
AP4435GJ-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P功率场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于各种领域和模块。 TO251； P—Channel沟道, -30V； -40A； RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2V
AP4435GJ-VB特性
暂无产品特性。
AP4435GJ-VB应用领域
暂无应用领域。