AP40P100K
IC
TO-252
可供量大可议
AP40P100K
特性：-100V, -34A。 RDS(ON) < 37 mΩ @ VGS = -10V， 典型值为31 mΩ。 RDS(ON) < 48 mΩ @ VGS = -4.5V， 典型值为37 mΩ。 先进的沟槽技术。 低导通电阻。 低栅极电荷。 应用：电池管理。 电机控制和驱动
品牌
UNI-SEMIC
封装
TO-252
库存
80
货期
现货
AP40P100K参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UNI-SEMIC(宇力半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
AP40P100K概述
特性：-100V, -34A。 RDS(ON) < 37 mΩ @ VGS = -10V， 典型值为31 mΩ。 RDS(ON) < 48 mΩ @ VGS = -4.5V， 典型值为37 mΩ。 先进的沟槽技术。 低导通电阻。 低栅极电荷。 应用：电池管理。 电机控制和驱动
AP40P100K特性
暂无产品特性。
AP40P100K应用领域
暂无应用领域。