AP40P03GJ-VB
IC
TO-251
可供量大可议
AP40P03GJ-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N沟道场效应管， 采用Trench工艺， 适用于LED照明控制、电动工具、电池管理系统等领域。 TO251； N—Channel沟道, 30V； 50A； RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
72
货期
现货
AP40P03GJ-VB参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 72 |
AP40P03GJ-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N沟道场效应管， 采用Trench工艺， 适用于LED照明控制、电动工具、电池管理系统等领域。 TO251； N—Channel沟道, 30V； 50A； RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~3V
AP40P03GJ-VB特性
暂无产品特性。
AP40P03GJ-VB应用领域
暂无应用领域。