AP3N50K
IC
TO-252
可供量大可议
AP3N50K
特性：500V， 3A。 RDS(ON) <3.0Ω @VGS=10V， 典型值2.6Ω。 快速开关。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
品牌
ALLPOWER
封装
TO-252
库存
2,500
货期
现货
AP3N50K参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ALLPOWER(铨力) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 500V |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:500V 电流:3A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V |
| 输入电容(Ciss) | 278pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | AP3N50K |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000478 |
AP3N50K概述
特性：500V， 3A。 RDS(ON) <3.0Ω @VGS=10V， 典型值2.6Ω。 快速开关。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
AP3N50K特性
- 500V、3A
- 当VGS = 10V时, RDS(ON) < 3.0 Ω, 典型值为2.6 Ω
- 快速开关
- 获得无铅产品认证
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
AP3N50K应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理