AP3310GH-HF-VB
自营可供
IC
TO-252
AP3310GH-HF-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 是一种多功能、高性能的电子器件， 适用于许多不同的应用领域和模块。 TO252； P—Channel沟道, -30V； -38A； RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
交期
现货
批次
—
AP3310GH-HF-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V； 19nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:38A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V； 46mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
| 商品型号 | AP3310GH-HF-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000387 |
AP3310GH-HF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 是一种多功能、高性能的电子器件， 适用于许多不同的应用领域和模块。 TO252； P—Channel沟道, -30V； -38A； RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
AP3310GH-HF-VB特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100% Rq测试
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
AP3310GH-HF-VB应用领域
- 负载开关-笔记本适配器开关