AP2852GO-VB
IC
TSSOP-8
可供量大可议
AP2852GO-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款DualN+P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种应用场景， 为电路设计提供了灵活的解决方案。 TSSOP8； N+P—Channel沟道, ±30V； 6.2/-5A； RDS(ON)=22/45mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~3V
品牌
VBsemi
封装
TSSOP-8
库存
2
货期
现货
AP2852GO-VB参数
| 封装 | TSSOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
AP2852GO-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款DualN+P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种应用场景， 为电路设计提供了灵活的解决方案。 TSSOP8； N+P—Channel沟道, ±30V； 6.2/-5A； RDS(ON)=22/45mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~3V
AP2852GO-VB特性
暂无产品特性。
AP2852GO-VB应用领域
暂无应用领域。