AP2012
IC
TSSOP-8
可供量大可议
AP2012
AP2012采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
ALLPOWER
封装
TSSOP-8
库存
5,300
货期
现货
AP2012参数
| 封装 | TSSOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | ALLPOWER(铨力) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5300 |
AP2012概述
AP2012采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
AP2012特性
暂无产品特性。
AP2012应用领域
暂无应用领域。