AP200N04D
IC
TO-263
可供量大可议
AP200N04D
特性：40V， 160A， RDS(ON) <2.8mΩ @VGS=10V， 典型值2.4mΩ； RDS(ON) <4.0mΩ @VGS=4.5V， 典型值3.2mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
品牌
ALLPOWER
封装
TO-263
库存
713
货期
现货
AP200N04D参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | ALLPOWER(铨力) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 713 |
AP200N04D概述
特性：40V， 160A， RDS(ON) <2.8mΩ @VGS=10V， 典型值2.4mΩ； RDS(ON) <4.0mΩ @VGS=4.5V， 典型值3.2mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
AP200N04D特性
暂无产品特性。
AP200N04D应用领域
暂无应用领域。