AP12N10S
IC
SOP-8
可供量大可议
AP12N10S
特性：100V， 12A， RDS(ON) < 10mΩ（VGS = 10V， 典型值8mΩ）， RDS(ON) < 13.5mΩ（VGS = 4.5V， 典型值11mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
品牌
ALLPOWER
封装
SOP-8
库存
2,510
货期
现货
AP12N10S参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | ALLPOWER(铨力) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2510 |
AP12N10S概述
特性：100V， 12A， RDS(ON) < 10mΩ（VGS = 10V， 典型值8mΩ）， RDS(ON) < 13.5mΩ（VGS = 4.5V， 典型值11mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 应用：PWM应用。 负载开关
AP12N10S特性
暂无产品特性。
AP12N10S应用领域
暂无应用领域。