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AP100P06D
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TO-252-3L

AP100P06D

AP100P06D

品牌

APM

封装

TO-252-3L

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—

AP100P06D参数

封装TO-252-3L
品牌APM(永源微电子)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)142W
栅极电荷量(Qg)141nC
反向传输电容(Crss)288pF
类型P沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号AP100P06D
单位个
商品重量0.000389
分类场效应管(MOSFET)
库存100
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.6V
输入电容(Ciss)8.62nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)486pF
商品名称AP100P06D
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

AP100P06D概述

AP100P06D

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