AOZ8S503BDS-05
IC
DFN-2L(0.6x0.3)
可供量大可议
AOZ8S503BDS-05
AOZ8S503BDS-05是一款单通道双向高浪涌瞬态电压抑制器, 旨在保护音频线和电源线等数据线免受静电放电(ESD)或浪涌事件的损害。 该器件在单个封装中集成了两个单向TVS二极管。 在瞬态条件下, 双向二极管将瞬态电流导向电源线的正端或接地。 AOZ8S503BDS-05的典型电容为9 pF, 钳位电压低, 非常适合用于移动和计算设备的数据传输保护。 AOZ8S503BDS-05采用符合RoHS标准且无卤素的0.6mm×0.3mm封装, 结温范围为-40℃至+125℃。
品牌
AOS
封装
DFN-2L(0.6x0.3)
库存
80
货期
现货
AOZ8S503BDS-05参数
| 封装 | DFN-2L(0.6x0.3) |
|---|---|
| 品牌 | AOS |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
AOZ8S503BDS-05概述
AOZ8S503BDS-05是一款单通道双向高浪涌瞬态电压抑制器, 旨在保护音频线和电源线等数据线免受静电放电(ESD)或浪涌事件的损害。 该器件在单个封装中集成了两个单向TVS二极管。 在瞬态条件下, 双向二极管将瞬态电流导向电源线的正端或接地。 AOZ8S503BDS-05的典型电容为9 pF, 钳位电压低, 非常适合用于移动和计算设备的数据传输保护。 AOZ8S503BDS-05采用符合RoHS标准且无卤素的0.6mm×0.3mm封装, 结温范围为-40℃至+125℃。
AOZ8S503BDS-05特性
暂无产品特性。
AOZ8S503BDS-05应用领域
暂无应用领域。
