库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
AOZ8S503BDS-05
IC

DFN-2L(0.6x0.3)

可供量大可议

AOZ8S503BDS-05

AOZ8S503BDS-05是一款单通道双向高浪涌瞬态电压抑制器, 旨在保护音频线和电源线等数据线免受静电放电(ESD)或浪涌事件的损害。 该器件在单个封装中集成了两个单向TVS二极管。 在瞬态条件下, 双向二极管将瞬态电流导向电源线的正端或接地。 AOZ8S503BDS-05的典型电容为9 pF, 钳位电压低, 非常适合用于移动和计算设备的数据传输保护。 AOZ8S503BDS-05采用符合RoHS标准且无卤素的0.6mm×0.3mm封装, 结温范围为-40℃至+125℃。

品牌

AOS

封装

DFN-2L(0.6x0.3)

库存

80

货期

现货

AOZ8S503BDS-05参数

封装DFN-2L(0.6x0.3)
品牌AOS
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存80

AOZ8S503BDS-05概述

AOZ8S503BDS-05是一款单通道双向高浪涌瞬态电压抑制器, 旨在保护音频线和电源线等数据线免受静电放电(ESD)或浪涌事件的损害。 该器件在单个封装中集成了两个单向TVS二极管。 在瞬态条件下, 双向二极管将瞬态电流导向电源线的正端或接地。 AOZ8S503BDS-05的典型电容为9 pF, 钳位电压低, 非常适合用于移动和计算设备的数据传输保护。 AOZ8S503BDS-05采用符合RoHS标准且无卤素的0.6mm×0.3mm封装, 结温范围为-40℃至+125℃。

AOZ8S503BDS-05特性

暂无产品特性。

AOZ8S503BDS-05应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件