AOZ8671BDT-03N
IC
DFN1006-2
可供量大可议
AOZ8671BDT-03N
特性：24瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±8kV接触， ±15kV空气。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
BORN
封装
DFN1006-2
库存
6,080
货期
现货
AOZ8671BDT-03N参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 6080 |
AOZ8671BDT-03N概述
特性：24瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±8kV接触， ±15kV空气。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
AOZ8671BDT-03N特性
暂无产品特性。
AOZ8671BDT-03N应用领域
暂无应用领域。